关于增强型mos管（N沟道）的一些问题为什么要将源极和衬底连接,难道衬底和源极不会中和吗?为什么栅源之间不加电压时,及时漏源之间加电压也不会有漏极电流?漏源极和衬底不是组成一个

4种MOS管的开启电压(P沟道增强型MOS管,N沟道增强型MOS管,P沟道耗尽型MOS管,N沟道耗尽型MOS管)如题 N沟道增强型MOS管与P沟道增强型MOS管主要区别是什么? N沟道增强型MOS管与N沟道耗尽型MOS管在开启电压上的差别是什么? P沟道增强型MOS管与N沟道耗尽型MOS管区别? MOS管怎么区分N沟道和P沟道 增强型和耗尽型一样吗? 关于在绝缘栅型场效应管中N 沟道增强型 MOS N 沟道增强型 MOS 场效应管中UDS > UGS – UT,UGD < UT时由于夹断区的沟道电阻很大,UDS 逐渐增大时,为什么导电沟道两端电压基本不变,ID 因而基本不变? 功率场效应管P沟道MOS管和N沟道MOS管的区别? 绝缘栅型场效应管的问题为何在N沟道增强型MOS管的源极和栅极之间要加一个电压,它有什么作用?把栅极和衬底直接连一个电源而不与源极相连是否可以?为什么?请详细解答把栅极和衬底直接 模拟电子技术中为什么“N沟道增强型MOS管中：uGD＞UGS（th）即uDS＞uGS-UGS（th）”?我感觉写反了吧?华成英的《模拟电子技术基础》辅导书《帮你学模拟》第23页N沟道增强型MOS管工作在恒流区 关于增强型mos管（N沟道）的一些问题为什么要将源极和衬底连接,难道衬底和源极不会中和吗?为什么栅源之间不加电压时,及时漏源之间加电压也不会有漏极电流?漏源极和衬底不是组成一个 n沟道增强型mos管栅极加负电压N沟道增强型mos管 栅极加正电压时,正经排斥P型衬底中多子空穴,形成耗尽层,正电压同时吸引少子电子到二氧化硅表面,形成导电沟道.我想问,如果加反向电压,那 如何区分N沟道MOS管的各级? N沟道增强型MOS管构成的分压式偏置共源放大电路中栅极电流为0,那栅极...N沟道增强型MOS管构成的分压式偏置共源放大电路中栅极电流为0,那栅极并联的电阻如何会增大输入电阻? 请问,N-MOS、P-MOS分别指N沟道MOS管和P沟道MOS管吗?它们的剖面图和工艺版图是怎样的. n沟道mos管有哪些 比如说N沟道增强型MOS管,电流从漏极到源极,是不是电流只经过沟道而不经过衬底,还有连接在衬底和源极...比如说N沟道增强型MOS管,电流从漏极到源极,是不是电流只经过沟道而不经过衬底,还 MOS管怎么区分N沟道和P沟道呢? 怎么判断MOS管是N沟道还是P沟道?