模拟电子技术中为什么“N沟道增强型MOS管中：uGD＞UGS（th）即uDS＞uGS-UGS（th）”?我感觉写反了吧?华成英的《模拟电子技术基础》辅导书《帮你学模拟》第23页N沟道增强型MOS管工作在恒流区

模拟电子技术中为什么“N沟道增强型MOS管中：uGD＞UGS（th）即uDS＞uGS-UGS（th）”?我感觉写反了吧?华成英的《模拟电子技术基础》辅导书《帮你学模拟》第23页N沟道增强型MOS管工作在恒流区 N沟道增强型MOS管与P沟道增强型MOS管主要区别是什么? P沟道增强型MOS管与N沟道耗尽型MOS管区别? 关于在绝缘栅型场效应管中N 沟道增强型 MOS N 沟道增强型 MOS 场效应管中UDS > UGS – UT,UGD < UT时由于夹断区的沟道电阻很大,UDS 逐渐增大时,为什么导电沟道两端电压基本不变,ID 因而基本不变? 4种MOS管的开启电压(P沟道增强型MOS管,N沟道增强型MOS管,P沟道耗尽型MOS管,N沟道耗尽型MOS管)如题 MOS管怎么区分N沟道和P沟道 增强型和耗尽型一样吗? 为什么N沟道mos管要高电来才通 N沟道增强型MOS管与N沟道耗尽型MOS管在开启电压上的差别是什么? 为什么晶体管(n沟道增强型mos)的vg超过vth,源极与漏极之间的基板就会形成薄导电层 N沟道增强型MOS管构成的分压式偏置共源放大电路中栅极电流为0,那栅极...N沟道增强型MOS管构成的分压式偏置共源放大电路中栅极电流为0,那栅极并联的电阻如何会增大输入电阻? N沟道增强型MOS管中假设使VGS大于开启电压,漏源两极的电压VDS开启电压,我不明白后面那两个式子是怎么得到的,我看的是模拟电子第三版,谁能给讲下 电子技术　MOS管的导电沟道为什么一端宽一端窄 比如说N沟道增强型MOS管,电流从漏极到源极,是不是电流只经过沟道而不经过衬底,还有连接在衬底和源极...比如说N沟道增强型MOS管,电流从漏极到源极,是不是电流只经过沟道而不经过衬底,还 n沟道增强型mos管栅极加负电压N沟道增强型mos管 栅极加正电压时,正经排斥P型衬底中多子空穴,形成耗尽层,正电压同时吸引少子电子到二氧化硅表面,形成导电沟道.我想问,如果加反向电压,那 有关于电子技术基础-模拟电路部分的题目解答1.整流二极管的整流作用是利用PN结的（ ）特性.2.N沟道耗尽型MOS场效应管既可以在 （ ）条件下又可以在（ ） 条件下工作.3.在乙类双电源互补 增强型P沟道MOS管当加适当电压（Ugs 数电中N沟道增强型MOS管为防止有电流从衬底流向流向源极和导电沟道,通常将衬底与源极相连接不是防止有电流从衬底流向流向源极,为什么还将衬底与源极相连接? 为什么mosfet镜像电流源可以用N沟道增强型mosfet代替电阻