作业帮n沟道增强型mos管栅极加负电压N沟道增强型mos管 栅极加正电压时,正经排斥P型衬底中多子空穴,形成耗尽层,正电压同时吸引少子电子到二氧化硅表面,形成导电沟道.我想问,如果加反向电压,那
来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/05/03 10:48:19
n沟道增强型mos管栅极加负电压N沟道增强型mos管 栅极加正电压时,正经排斥P型衬底中多子空穴,形成耗尽层,正电压同时吸引少子电子到二氧化硅表面,形成导电沟道.我想问,如果加反向电压,那
n沟道增强型mos管栅极加负电压
N沟道增强型mos管 栅极加正电压时,正经排斥P型衬底中多子空穴,形成耗尽层,正电压同时吸引少子电子到二氧化硅表面,形成导电沟道.
我想问,如果加反向电压,那么应该吸引更多的空穴到二氧化硅表面,空穴不是能导电吗?为什么说不能导通?是不是因为必须先使耗尽层联通起来,不然无法形成导电沟道.
n沟道增强型mos管栅极加负电压N沟道增强型mos管 栅极加正电压时,正经排斥P型衬底中多子空穴,形成耗尽层,正电压同时吸引少子电子到二氧化硅表面,形成导电沟道.我想问,如果加反向电压,那
要知道 导电本质是电子的移动
你可以这样理解 Vgs=0时不导电,可以利用pn解释为空间电荷区在外电场作用下加宽阻碍了电子的运动
那么在沟道被空穴填满是情况更加不乐观了 高浓度的空穴会加快与N+区得电子中和 ,从而形成更宽的耗尽层 电子移动更加困难
在沟道里充满电子的情况是呢?衬底里的空穴被排斥,电子被吸引 这是可以认为沟道整块带负电而含有少子电子 N+区电子浓度高自然会向衬底扩散 电流形成
如果是p沟道增强型 则Vgs负电压吸引n型衬底中的少子空穴 可以认为沟道整块带正点且含有少子空穴,id产生是因为p区少子电子的移动么?
n沟道增强型mos管栅极加负电压N沟道增强型mos管 栅极加正电压时,正经排斥P型衬底中多子空穴,形成耗尽层,正电压同时吸引少子电子到二氧化硅表面,形成导电沟道.我想问,如果加反向电压,那
4种MOS管的开启电压(P沟道增强型MOS管,N沟道增强型MOS管,P沟道耗尽型MOS管,N沟道耗尽型MOS管)如题
N沟道增强型MOS管与N沟道耗尽型MOS管在开启电压上的差别是什么?
N沟道增强型MOS管与P沟道增强型MOS管主要区别是什么?
P沟道增强型MOS管与N沟道耗尽型MOS管区别?
MOS管怎么区分N沟道和P沟道 增强型和耗尽型一样吗?
N沟道MOS管截止状态下,栅极电压高于漏极电压,MOS管就损坏
绝缘栅型场效应管的问题为何在N沟道增强型MOS管的源极和栅极之间要加一个电压,它有什么作用?把栅极和衬底直接连一个电源而不与源极相连是否可以?为什么?请详细解答把栅极和衬底直接
N沟道增强型MOS管构成的分压式偏置共源放大电路中栅极电流为0,那栅极...N沟道增强型MOS管构成的分压式偏置共源放大电路中栅极电流为0,那栅极并联的电阻如何会增大输入电阻?
增强型P沟道MOS管当加适当电压（Ugs
MOS管怎么区分N沟道和P沟道呢?
怎么判断MOS管是N沟道还是P沟道?
怎么判断MOS管是N沟道还是P沟道?
关于在绝缘栅型场效应管中N 沟道增强型 MOS N 沟道增强型 MOS 场效应管中UDS > UGS – UT,UGD < UT时由于夹断区的沟道电阻很大,UDS 逐渐增大时,为什么导电沟道两端电压基本不变,ID 因而基本不变?
n沟道mos管有哪些
功率场效应管P沟道MOS管和N沟道MOS管的区别?
N沟道MOS管的datasheet,VGS（th） Min:0.6V Max:1.2V 栅极电压多少管子能正常工作?管子型号：IRLML2502PbF
为什么N沟道mos管要高电来才通