掺杂半导体材料中的费米能级与掺杂后在能隙中多出的能级是同一个吗?（只考虑n掺杂或p掺杂）

掺杂半导体材料中的费米能级与掺杂后在能隙中多出的能级是同一个吗?（只考虑n掺杂或p掺杂） 掺杂半导体费米能级的计算如果已知半导体材料,比如AlGaAs,以及其材料的掺杂浓度,如何确定该掺杂半导体的费米能级 画图:在不同温度下,费米能级与掺杂浓度的关系(施主,受主)我知道一定温度下费米能级和掺杂浓度的关系也知道一定掺杂浓度下费米能级和温度的关系.但两个量都变怎么画图呢? 请论述Si、GaAs、SiC这三种半导体材料的差异性以及这三种半导体材料的掺杂原理,并讨论它们在微电子器件领域应用的具体范围.大概可以从哪些角度去分析？载流子寿命？费米能级？带宽？ 费米能级在半导体导电性能描述中的作用,它的变化情况和温度,掺杂等的关系又如何?半导体方面的思考题, 为什么n型半导体中重掺杂会使费米能级进入导带 求半导体物理中的杂质电离问题n型硅半导体材料,已知施主掺杂浓度为Nd,杂质能级Ed位于导带底下-0.045ev处,在温度T=300K时导带底电子有效状态密度Nc已知,计算能使杂质全部电离的最低温度是多 轻掺杂中掺杂的半导体材料应用有哪些 关于半导体物理中的能级问题.我在某书看到半导体掺杂能级图如下.如果Ec是本征材料(比如Si)的导带能级、Ev是Si的价带能级那如果P掺杂材料为B(通常都掺杂B),B的本征能级应该比Ev低才对?为什 费米能级指被电子占据几率为1/2的能级,其处于价带和导带之间.可中间不是禁带吗,怎么会有电子占据啊?前提条件：在半导体物理中,处于本征或低掺杂情况.费米能级到底怎么理解啊,感觉逻辑 为什么半导体中可以同时存在两个掺杂费米能级Efn和Efp1）是否只有heavy doping才会让费米能级移动到导带以上或者价带以下?2）同一块半导体中可以同时存在P掺杂和N掺杂吗?自由电子和自由空 半导体材料中,离子注入与离子掺杂有什么区别?离子注入技术和离子掺杂工艺的优缺点及其用途? 半导体材料中,离子注入与离子掺杂有什么区别?离子注入技术和离子掺杂工艺的优缺点及其用途? 什么是费米能、费米能级、费米速度、费米半径、费米动量? 半导体物理中的重掺杂的概念? 掺杂后的聚乙炔为什么可以导电?本身是不导电的,比如与碘单质或钠掺杂后引起的变化 半导体中的掺杂半导体分哪几种?半导体中的掺杂半导体貌似有两类,跪求这两种的名称 不同厚度,不同掺杂类型的相同半导体材料的光吸收系数相同吗?