作业帮关于半导体物理中的能级问题.我在某书看到半导体掺杂能级图如下.如果Ec是本征材料(比如Si)的导带能级、Ev是Si的价带能级那如果P掺杂材料为B(通常都掺杂B),B的本征能级应该比Ev低才对?为什
来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/05/02 18:43:36
关于半导体物理中的能级问题.我在某书看到半导体掺杂能级图如下.如果Ec是本征材料(比如Si)的导带能级、Ev是Si的价带能级那如果P掺杂材料为B(通常都掺杂B),B的本征能级应该比Ev低才对?为什
关于半导体物理中的能级问题.
我在某书看到半导体掺杂能级图如下.
如果Ec是本征材料(比如Si)的导带能级、Ev是Si的价带能级
那如果P掺杂材料为B(通常都掺杂B),B的本征能级应该比Ev低才对?为什么Ea比Ev的能级高?
此外
图中的Ed（或Ea）能否看做掺杂的物质的Ev？
两位大哥，谢谢你们的回答，但是你们可能没理解我的意思（或者是我不理解你们的意思？）
Si是第三周期元素，其最外层电子是3s^2 3p^2
B是第二周期元素，其最外层电子是2s^2 2p^1
两者相差一个周期，如果B掺杂Si
那B产生的Ea应该比Si的Ev要低，因为Ea是B的最外层电子的能级（第二层），而Si的Ev是Si的最外层电子能级（第三层）
关于半导体物理中的能级问题.我在某书看到半导体掺杂能级图如下.如果Ec是本征材料(比如Si)的导带能级、Ev是Si的价带能级那如果P掺杂材料为B(通常都掺杂B),B的本征能级应该比Ev低才对?为什
因为电子带的是负电啊,能级和电势是相反的,这个是根据电子画的能带图.
掺杂物质是没有能带的.因为数量少,形不成能带.
掺杂后形成的叫做掺杂能带。比如托中的Ed（施主能带），Ea受主能带。
所谓的施主能带Ed，指掺杂后能多给出一个电子。对于掺杂半导体，电子和空穴大多数是由杂质来提供的。能够提供电子的杂质称为施主；能够提供空穴的杂质称为受主。施主的能级处在靠近导带底的禁带中；受主的能级处在靠近价带顶的禁带中。
因为施主的电子很容易跑掉而变成自由电子，所以，他的能带在比导带低一点点。
而受主则反...
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掺杂后形成的叫做掺杂能带。比如托中的Ed（施主能带），Ea受主能带。
所谓的施主能带Ed，指掺杂后能多给出一个电子。对于掺杂半导体，电子和空穴大多数是由杂质来提供的。能够提供电子的杂质称为施主；能够提供空穴的杂质称为受主。施主的能级处在靠近导带底的禁带中；受主的能级处在靠近价带顶的禁带中。
因为施主的电子很容易跑掉而变成自由电子，所以，他的能带在比导带低一点点。
而受主则反之。
因此，会有能带结构图上的那种结构。
收起
该图中的Ea是受主能级，如果有一个电子想要占据这个空位，由于B原子带负电，所以它的能量要比价电子的能量高，亦即占据该空穴的电子的能量（也就是该受主能级）要高于价电子的能量（即Ev）