PN结是扩散运动形成的,但正偏电压为什么说使PN结变窄呢?扩散运动越强pn结不是越宽吗?而外正电场不是使扩散变强吗?

PN结是扩散运动形成的,但正偏电压为什么说使PN结变窄呢?扩散运动越强pn结不是越宽吗?而外正电场不是使扩散变强吗? PN结是扩散运动形成的,但正偏电压为什么说使PN结变窄呢?扩散运动越强pn结不是越宽吗?而外正电场不是使扩散变强吗? pn结外加正电压为什么变窄?多子扩散是怎么样的过程? PN结电荷区不是因为扩散运动形成的,加正电场扩散变强了,电荷不是变多了,为什么还变窄了? 在pn结中 电子和空穴为什么有扩散运动?扩散运动的原因是什么? 形成pn结经过了多子的（扩散）运动和勺子的（漂移）运动,我填的是扩散和漂移,但是答案是多子漂移,少子形成pn结经过了多子的（ ）运动和少子的（ ）运动,我填的是扩散和漂移,但是答案 急求正向偏置的PN结为什么会变薄?PN结正向偏置时结层的电位差会减少,电场会减弱,但为什么离子数会减少呢?扩散运动增强,即多子会向PN结扩散,产生越结的扩散电流.PN结应该变宽啊,为什么会 PN结外加反向电压,为什么处于截止状态书上说外反向电压使空间电荷区变宽,加强了内电场,阻止扩散运动,加剧飘逸运动,形成反向电流,因为少子的数目极少,即使所有的少子都参与飘移运动,反 关于PN结中的电子和空穴电子和空穴在PN结交界处会复合,其实质就是扩散运动.如果再外加一个正向偏置电压,就相当于减小了PN结处空间电荷区的场强,使得扩散运动加剧,但依旧会复合.那一个 pn结加正向电流为什么不马有扩散电流,为什么要大于门槛电压才导通,不是PN结扩散电 漂移使PN结变薄,但反偏时,PN结电场加强,漂移运动加强,而PN结变厚?书上说漂移运动的结果使空间电荷区变窄，其作用正好与扩散运动相反，漂移使PN结变薄，但反偏时，书上又说PN结电场加强 (physics)什么是扩散运动和漂移运动?注：在学PN结时遇到的问题. 关于PN结形成,当自动扩散形成后,P区的空穴 进入N 区 和N 区的电结 合 ,之后为什么带正电 关于pn结中的光生伏特效应的光生载流子的运动的问题pn结的光生载流子为什么由于内建电场的作用电子向N区运动空穴向P区运动,它怎么不是由于扩散运动电子向P区扩散,空穴想N区扩散呢?或 PN结中内电场阻止多子扩散的详细机理是什么?假如我把N型半导体换成金属片,是否能形成极限不对称pn结?我的个人理解是：当p区耗尽区的空穴被填充，这个三价杂质和硅形成的稳定结构，但 载流子的扩散和漂移为什么说漂移会使PN结变窄,扩散使PN结变宽?扩散为横向,漂移为纵向?请说明白点,呵呵,不懂! PN结相关问题在PN结两端加正向电压,此时外电场将多子推向空间电荷区,使其变窄,削弱了内电场,破坏了原平衡,使扩散运动加剧,而漂移运动减弱,由于电源的作用,扩散运动将源源不断地进行,从 PN结的扩散电流,N区向P区 电子浓度 的原因朝一个方向流,为什么反方向是扩散电流的方向?原因?